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NXP Semiconductors
PESD2CAN
CAN bus ESD protection diode
C d
30
006aaa938
I R
50
006aaa939
(pF)
(mA)
(1)
(2)
(3)
26
40
22
18
14
10
(4)
(5)
(1)
(2)
(3)
30
20
10
0
0
8
16
24
24
26
28
30
32
34
f = 1 MHz
(1) T amb = 150 ? C
(2) T amb = 125 ? C
(3) T amb = 85 ? C
(4) T amb = 25 ? C
(5) T amb = ? 40 ? C
V R (V)
(1) T amb = ? 55 ? C
(2) T amb = 25 ? C
(3) T amb = 150 ? C
V R (V)
Fig 5.
25
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
006aaa940
Fig 6.
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
I PP
V R
(V)
20
15
? V CL ? V BR ? V RWM
I R
I RM
10
5
? I RM
? I R
?
V RWM V BR V CL
+
0
0
10
20
30
? I PP
I RM (nA)
T amb = 150 ? C
I R is less than 1 nA at ? 55 ? C and 25 ? C.
006aaa676
Fig 7.
Reverse voltage as a function of reverse
leakage current; typical values
Fig 8.
V-I characteristics for a bidirectional ESD
protection diode
PESD2CAN
Product data sheet
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Rev. 2 — 27 September 2012
? NXP B.V. 2012. All rights reserved.
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